熱釋光讀數(shù)器+加熱退火爐

設(shè)備物理參數(shù) 尺寸、重量 外殼材質(zhì) 345*240*270mm；單機重量約 25 公斤 鈑金外殼，噴塑或者陽極氧化 儲運環(huán)境 環(huán)境：-20℃--60℃，≤95%濕度 電源：220VAC/50Hz 市電供應(yīng) 設(shè)備運行參數(shù) 運行方式 單次單樣品測量 探測方式 交互方式 光電倍增管探測，模擬信號放大處理 帶有觸摸屏人機界面和應(yīng)用軟件同步雙工作業(yè) 維護模式 帶有自診斷功能；模塊化設(shè)計便于現(xiàn)場快速更換 適配劑量片 國內(nèi)通用的片狀、粉末狀、棒狀、薄膜β劑量元件、 特定中子劑量片及其它特殊樣品等 測量射線 γ，β，X，中子射線 加熱單元參數(shù) 加熱方法 電極加熱、線性升溫，最高溫 500℃ 獲取溫度 室溫～500℃可任意設(shè)置 預熱溫度 室溫～500℃可任意設(shè)置 升溫速率 0℃/s～50℃/s 可任意設(shè)置 控溫精度 設(shè)置溫度的±1% 測量單元參數(shù) 測量方式 光電倍增管（PMT），模擬信號放大 10 9量級 高壓供應(yīng) 高壓 0～1200V 可調(diào)節(jié)，高壓穩(wěn)定性：±0.005% 探測單元制冷 半導體加控制制冷，制冷溫度可設(shè)置 測量量程 0.1μSv～12Sv；最高至 300Sv（敏化鎂鈦片） 測量分辨率 實驗室條件下充分預熱后可到 0.1μSv 測量穩(wěn)定性 充分預熱后連續(xù) 10 次測量，RSD≤1% 暗電流 預熱后連續(xù)多次測讀 RSD≤1% 參考光 預熱后連續(xù)多次測讀 RSD≤1%

熱釋光讀數(shù)器+加熱退火爐

設(shè)備物理參數(shù) 尺寸、重量 外殼材質(zhì) 345*223*210mm；單機重量約 3 公斤； 鈑金外殼，噴塑或者陽極氧化 儲運環(huán)境 環(huán)境：-20℃--50℃，10%-60%濕度 電源：220VAC/50Hz 市電供應(yīng) 設(shè)備運行參數(shù) 溫度過沖值 預設(shè)值±2℃ 溫度穩(wěn)定性 達到預設(shè)溫度后波動范圍±1℃ 控制模式 微電腦程序控制、觸摸屏顯示 提示方式 語音提示測量進程或者設(shè)備狀態(tài) 冷卻方式 風冷、大面積金屬板冷卻 測溫方式 熱電偶接觸測溫 系統(tǒng)保護 自帶過溫保護開關(guān) 退火溫度 室溫~400℃內(nèi)手動設(shè)置 退火時間 100 分鐘內(nèi)自由設(shè)置，達到設(shè)計溫度后自動倒計時